C10100 スパッタリングターゲット用銅

半導体薄膜堆積では、スパッタリング ターゲットの信頼性は、それをサポートするバックプレートと同程度です。-金、銀、またはセラミックのターゲット材料を使用しているかどうかに関係なく、バックプレートは完璧なヒートシンクおよび真空安定性の基盤として機能する必要があります。-

高出力物理蒸着 (PVD) の場合、-C10100 無酸素電子銅-は業界の義務です。以下のもの純度99.99%クリーンルームに壊滅的な変数を導入します。{0}特に局所的な過熱とチャンバーの汚染。

スパッタリングは、膨大な熱を発生する高エネルギー プロセスです。{0}バックプレートがこの熱負荷を即座に放散できない場合、ターゲットとプレート間の接合界面が破損するか、さらに悪いことにターゲット自体に亀裂が生じます。

私たちのC10100 プレート、シート約の熱伝導率を提供します391 W/m-K。保証付き101% IACS 導電率, C10100 は、ターゲット表面全体にわたって均一な温度勾配を保証します。これにより、シリコン ウェーハ上に不均一な膜厚を引き起こす「ホット スポット」-、半導体製造工場にバッチごとに数万ドルの費用がかかる可能性のある欠陥、「ホット スポット」が防止されます。

PVD プロセスは超高真空（UHV）条件下で動作します。{0}このような圧力では、銅に含まれる微量の揮発性不純物（亜鉛、鉛、または高濃度の酸素など）でさえ「ガスを放出」します。

GNEE METALのC10100には、最大酸素5ppm、真空中では事実上不活性です。標準的な ETP 銅とは異なり、亜酸化銅 (亜酸化銅) が含まれています。Cu2O) 含有物を含むため、当社の OFE グレードは、閉じ込められたガスが放出されてプラズマや蒸着された薄膜を汚染しないことを保証します。

ほとんどのスパッタリング ターゲットは、拡散接合またははんだ付けによって C10100 バックプレートに接合されます。この結合が成功するかどうかは、表面の化学純度と平坦度に依存します。

含有物ゼロ:C10100 には酸化物が存在しないため、分子レベルでのより強力で一貫した結合が保証されます。

精密加工：カスタム ターゲット ジオメトリの場合、カスタム CNC 機械加工部品C10100 製で優れた寸法安定性を実現します。この材料の高い延性により、応力腐食割れのリスクを伴うことなく、バックプレート内に複雑な冷却チャネルを統合することができます。

デザインに円形のジオメトリが必要な場合は、C10100 丸・角・平鋼ターゲット バッキング ディスク用に特別に鍛造されており、均一なスパッタリング レートを促進する微細粒子構造を保証します。

PVD 設計用の C10100 熱および機械データシートをダウンロード

すべての「4N」(99.99%) 銅が同じというわけではありません。半導体用途については、当社の材料は次のように認定されています。ASTM F68 および ASTM B170 グレード 1 仕様。これにより、粒子サイズと冶金学的清浄度が、標準の工業用銅 (C10200 であっても) では満たすことのできない「電子グレード」要件を満たすことが保証されます。

C10100 を選択すると、単に金属を購入するだけではありません。薄膜堆積プロセスの歩留まりを確保することになります。-調達しているかどうかC10100 ホイルGNEE METAL は、防湿層やカソード アセンブリ用の厚板など、Tier-1 半導体サプライ チェーンに必要なトレーサビリティを提供します。

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当社は以下を含むあらゆる種類の生産ラインを運営しています。押出プレス、冷間引抜ベンチ、高速圧延機、スリッティング ライン、精密 CNC マシニング センターこれにより、銅管、板、棒、ワイヤー、条片を完全に社内で生産できるようになりました。-品質保証のため、当社では専用のスペクトル分析装置、万能試験機、硬さ試験機、表面粗さ試験機、光学測定器を備えた検査室。すべてのバッチは、出荷前に化学組成、機械的特性、寸法精度がテストされます。当社の生産能力は以下に達します月あたり 500+ トン、そして私たちは保持しますISO9001:2015認証取得原材料から完成品まで完全なトレーサビリティを備えています。標準のミルストックが必要な場合でも、カスタム加工されたコンポーネントが必要な場合でも、当社は短いリードタイムと完全な材料認証を備えた精密銅製品を提供します。-

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